SMPSハロゲンランプトランス回路

問題を排除するために楽器を試してください





ハロゲン電球用の従来の光変圧器の最良の代替品の1つは、電子ハロゲン変圧器です。また、非ハロゲン電球や、RF電流で動作しない他の形式の抵抗性負荷にも使用できます。

作成および提出者:Dhrubajyoti Biswas



ハロゲンランプの動作原理

電子ハロゲンランプトランスは、スイッチング電源の原理で動作します。スイッチング電源のようにDC電圧を必要としない二次整流器では動作しません。

さらに、ネットワークブリッジの後で平滑化するオプションがなく、単に電解質がないためにサーミスタの適用が適用されません。



力率の問題の排除

電子ハロゲントランスの設計により、力率の問題も解消されます。ハーフブリッジとしてのMOSFETとIR2153駆動回路で設計されたこの回路には、上部MOSFETドライバーが装備されており、独自のRC発振器も備えています。

トランス回路は50kHzの周波数で動作し、一次パルストランスの電圧は約107Vです。これは、以下の計算に従って測定されます。

Uef =(Uvst-2)。 0,5。 √(t-2。デッドタイム)/ t

[ここで、Uvstは入力ライン電圧であり、IR2153で結果として生じるデッドタイムは1に設定されます。値2usおよびtは、特に50kHzに関して周期として示されます。]

ただし、値を次の式に代入すると、U =(230-2)になります。 0,5。 √(20-2.1,2)/ 20 = 106,9V、電圧はダイオードブリッジで2V減少します。さらに、1u / 250Vコンデンサで構成された容量性分周器で2で細分されるため、デッドタイム時の実効値が低下します。

フェライトトランスの設計

一方、Tr1トランスはEEまたはE1のフェライトコアに配置されたパルストランスであり、SMPS [ATまたはATX]から貸与できます。

回路を設計する際、コアは90〜140mm2(約)の断面を維持する必要があることに留意することが重要です。さらに、回転数も電球の状態に基づいて調整する必要があります。変圧器レートの計算を決定しようとするとき、通常、一次レートは230V出力ラインの場合の107Vの実効電圧であることを考慮に入れます。

ATまたはATXから派生したトランスは、通常、一次側で40ターン、さらに各一次側で20ターンの2つの部分に細分されます。一方は二次側の下にあり、もう一方は同じ上にあります。 12Vを使用している場合は、4ターンを使用することをお勧めし、電圧は11.5Vにする必要があります。

ちなみに、変換比は単純な除算方法で計算されます:107V / 11.5 V = 9.304。また、2次セクションでは、値は4tであるため、1次値は9.304になります。 4t = 37t。ただし、プライマリの下半分は20zのままなので、最良のオプションは、最上層を37t〜20t = 17t巻き付けることです。

そして、セカンダリで元のターン数を追跡できれば、物事ははるかに簡単になります。セカンダリが4ターンに設定されている場合は、プライマリの上部から3ターンほど巻き戻して、結果を導き出します。この実験の最も簡単な手順の1つは、24V電球を使用することですが、選択するセカンダリは8〜10ターンである必要があります。

ヒートシンクのないIRF840またはSTP9NK50ZMOSFETを適用して、80〜100V(約)の出力を得ることができます。

他のオプションは、STP9NC60FP、STP11NK50Z、またはSTP10NK60ZMOSFETモデルを使用することです。さらに電力を追加する場合は、2SK2837、STB25NM50N-1、STP25NM50N、STW20NK50Z、STP15NK50ZFP、IRFP460LC、IRFP460などの高電力のヒートシンクまたはMOSFETを使用してください。電圧はUds500〜600Vである必要があることを必ず考慮してください。

電球に長くつながることがないように注意する必要があります。主な理由は、高電圧の場合、電圧降下を引き起こし、主にインダクタンスによる干渉を引き起こす可能性があるためです。マルチメータを使用して電圧を測定することはできないことを考慮する最後のポイント。




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