このシンプルなMOSFET制御のトランスレス電源回路は、連続可変の0〜300VDC出力と100mA〜1Ampの電流制御を提供するために使用できます。

私の高電圧研究プロジェクトが恒久的に煙に上がるのを防ぐために、私は0〜330ボルトの可変電圧供給を提供できる簡単な回路を開発しました。

ただし、回路は主電源から絶縁されていないため、致命的な衝撃を与える可能性があることに注意してください。

電源は短絡防止です。電流は約100mAに制限されています。

回路動作

この設計では変圧器は必要ありませんが、短絡やコンポーネントの故障の場合に究極の安全性を提供するために、入力に100ワットの電球が導入されています。

ランプ通過後の主電源電圧は、ブリッジD1（1Amp / 500V）とC1で整流されます。

T1はソースフォロワーとして構成されています。T1のソースはR3のワイパーの電圧に準拠しています。 D2はT1のゲートを保護するために保険がかけられています。

“フルブリッジ整流器の出力電圧 ”

T2とシャント抵抗R2が電流リミッタを確立します。出力電流が過大になると、T2はT1のゲートをすばやく放電します。

これにより、電流がそれ以上増加するのを防ぎます。 R3の値は基本的に実験的に特定されましたが、実際にはT2のHfeに依存するため、R2の値を適切に調整する必要がある場合があります。

T1には大きなヒートシンクが必要であることに注意してください。最も厄介な状況では、T1はおそらく330V x 100mA = 33ワットを分散します。

BUZ 326（400V / 10.5Amp）などのMOSFETを試すことも、同様にIRF740（400V / 10Amp）を使用することもできます。

電源の出力インピーダンスはT1のベータに応じて変化するため、MOSFETが大きいほど、出力インピーダンスは小さくなります。

回路図

更新：

“オペレーティングシステムの割り込みの種類 ”

次の図に示すように、上記の設計は大幅に簡略化できます。 MOSFETのストレスレベルを大幅に低減するブリッジ整流器が排除されました。ただし、半波整流によって生成されるリップルは大幅に高くなる可能性があります。出力10uFフィルタコンデンサは、これをある程度減らすのに役立ちます。このコンデンサの値は、DC品質を向上させるために、より高いレベルに上げることができます。

入力直列ランプを追加できますが、設計に電流制御ステージが存在するため、これは必要ない場合があります。ただし、安全性を高めるために、入力ラインと直列にヒューズを追加することもできます。

ビデオプルーフ：

この電源装置を使用して、最大ゼロから300ボルトまで可変の安定化電源出力を得ることができます。すべてのデバイスはヒートシンクに取り付ける必要があります。

BJTとMOSFETの組み合わせを使用する

回路動作

次のトランスレス0-300V可変電源回路図は、次の点で理解できます。図に示されているように、高電圧トランジスタBF458が主な負荷処理デバイスとして使用されています。
そのベースバイアスは、エミッタが安定した24ボルトにクランプされている別の高電圧トランジスタBF337によって制御されます.1Mのポットを介してトランジスタBF337のベース電流を選択するためにFETが使用されます。

この設定により、BF337のベース電流が調整され、メイントランジスタのBF458の電圧と電流が出力に流れるように制限されます。

回路への入力は、ブリッジネットワークと10u / 400Vコンデンサを使用して適切に整流およびフィルタリングした後、主電源ACから直接得ることができます。

回路全体に触れることは非常に危険です。この回路を作成およびテストするときは、十分な注意を払う必要があります。