ザ・ SCRまたはサイリスタの一種です半導体デバイスまた、高電力スイッチングアプリケーションで使用するために特別に設計されています。このデバイスの操作は、スイッチングモードでのみ実行でき、スイッチとして機能します。 SCRがゲート端子によってトランスミッションにトリガーされると、SCRは常に電流を供給します。 SCRまたはサイリスタ回路を設計する場合、回路をアクティブにするために特別な集中が必要です。 SCR回路の全領域の動作は、主にそのトリガー方法に依存します。この記事では、SCRトリガーまたはSCRターンオン方法、またはサイリスタのトリガーのさまざまな方法について説明します。温度、電圧などを含むさまざまなエンティティに基づいて、さまざまなトリガー方法を使用できます。SCRトリガーで頻繁に使用されるいくつかのトリガー方法について説明します。

SCRトリガーとは何ですか？

シリコン制御整流器（SCR）またはサイリスタには、順方向伝導と順方向ブロッキングという2つの安定状態が含まれていることがわかっています。 SCRのトリガー方法は、SCRが順方向ブロッキング状態から順方向導通状態に切り替わるとき、つまりオフ状態からオン状態に切り替わるとき、次のように定義できます。 SCRをオンにする方法 またはSCRトリガー。

シリコン制御整流器

SCRトリガーメソッド

SCRのトリガーは、主に温度、電圧供給、ゲート電流などのさまざまな変数に依存します。電圧が制御されたシリコンに印加されるとき整流器、アノード端子をカソードに対して+ veにすることができる場合、SCRは転送バイアスに変わります。したがって、このサイリスタは順方向ブロッキング状態になります。

scr-triggering-circuit

これは導通モードにアクティブ化することができ、任意のタイプのSCRターンオン方式を使用して実行されます。 SCRをアクティブ化するには、次のようなさまざまな方法があります。

順方向電圧トリガー
温度トリガー
dv / dtトリガー
光のトリガー
ゲートトリガー

順方向電圧トリガー

この種のトリガー方法は、主にアノードとカソード間の電圧を上げるために使用されます。そのため、空乏層の幅を広げることができ、J2接合での少数電荷キャリアの加速電圧を上げることができます。さらに、これはアバランシェブレークダウン順方向ブレーク過電圧でのJ2-ジャンクションの。

この段階では、シリコン制御の整流器が導通モードに変わる可能性があるため、電圧降下の少ない大電流が流れます。 SCRのトリガー状態全体で、転送電圧降下の範囲はSCR全体で1〜1.5ボルトです。これは、負荷電流を使用して増幅できます。

“太陽電池充電器の回路図 ”

実際には、この方法はカソードに非常に大きなアノード電圧を必要とするため、使用できません。電圧がブレーク過電圧よりも高くなると、非常に大きな電流が流れます。これはサイリスタに害を及ぼす可能性があります。したがって、ほとんどの場合、この種のSCRトリガー方法は使用できません。

温度トリガー

このタイプのトリガーは、主にいくつかの状況が原因で発生します。それは突然の反応を増加させる可能性があり、その結果は、任意の設計方法の要素である間、書き留める必要があります。

サイリスタの温度トリガーは、主にJ2接合の両端の電圧とリーク電流が接合の温度を上昇させる可能性がある場合に発生します。温度が上昇すると、漏れ電流が増加します。

この増加方法は、デバイスの温度が高いために単純に発生する傾向がありますが、サイリスタをアクティブにするのに十分な場合があります。

dv / dtトリガー

このタイプのトリガーでは、SCRが転送バイアスにあるときはいつでも、J1とJ3のような2つのジャンクションが転送バイアスにあり、J2ジャンクションが逆バイアスになります。ここで、J2ジャンクションは、ジャンクションの両端に既存の電荷があるため、コンデンサのように機能します。「V」がSCRの両端の電圧である場合、電荷（Q）と静電容量は次のように書くことができます。

ic = dQ / dt

Q = CV

ic = d（CV）/ dt = C. dV / dt + V.dC / dt

dC / dt = 0の場合

ic =C。dV/ dt

したがって、SCRの両端の電圧レートの変化が高または低になると、SCRがトリガーされる可能性があります。

光のトリガー

SCRが光の放射でトリガーされると、LASCRまたは光活性化SCRと呼ばれます。この種のトリガーは、HVDCシステム内の位相によって制御されるコンバーターに使用されます。この技術では、適切な波長の強度と発光がJ2接合部に当たることが許可されます。

光トリガー

これらの種類のサイリスタには、P層内の位置が含まれます。したがって、この位置に光が当たると、J2接合で電子正孔対が生成され、接合のリードに追加の電荷キャリアが与えられ、サイリスタがトリガーされます。

ゲートトリガー

ゲートトリガーは、サイリスタまたはSCRをトリガーするための効率的で最も一般的に使用される方法です。サイリスタは順方向にバイアスされているため、ゲート端子に十分な電圧がかかると、J2接合に電子が追加されます。これは逆流電流の増幅に影響を与えるため、電圧でのJ2接合のブレークダウンはVBOよりも小さくなります。

サイリスタのサイズに基づいて、ゲート電流は数mAから200mAに変化します。ゲート端子に印加される電流が大きい場合、追加の電子がJ2接合に挿入され、より低い印加電圧で導通位置に接近します。

この手法では、ゲートとカソードのような2つの端子間に正の電圧を印加できます。したがって、SCRトリガーには、パルス信号、DC信号、AC信号の3種類のゲート信号を使用できます。

ゲートSCRトリガー回路を設計する際には、次の重要な点に注意する必要があります。